Notebookcheck

Samsung начала массовое производство топовой оперативной памяти для смартфонов

Новейший 16-ГБ модуль оперативной памяти LPDDR5 от Samsung. (Изображение: Samsung)
Новейший 16-ГБ модуль оперативной памяти LPDDR5 от Samsung. (Изображение: Samsung)
В Samsung сообщают о начале массового производства DRAM-чипов на 16 ГБ стандарта LPDDR5. Пропускная способность памяти у устройств нового поколения будет в 1.3 раза выше, чем у LPDDR4X модулей от Samsung. Новая память появится в флагманских смартфонах 2020 - 2021 года выпуска.

Компания Samsung уведомляет весь мир о том, что новейшие чипы оперативной памяти LPDDR5 для мобильных платформ теперь доступны в больших количествах. Каждый чип вмещает 16 ГБ - нынче максимальный объем у флагманских моделей составляет 12 ГБ. Сообщается, что благодаря новому стандарту памяти, пропускная способность составляет 5500 Мбит/с.

Новая память содержит внутри два типа чипов: восемь 12-гигабитных и четыре 8-гигабитных. Текущие 12-гигабайтные модули (установлены в Galaxy S20) содержат только 12-гигабитные чипы.

Новые модули на 16 ГБ примерно в 1.3 раза превосходят по пропускной способности модули Samsung LPDDR4X, которые содержат 24-гигабитные чипы и максимальную пропускную способность в 4266 Мбит/с. В любом случае, и предыдущее и новое поколение производится по 10-нм техпроцессу.

Samsung прямо сейчас готова отгружать чипы брендам на линии сборки Pyeongtaek в Южной Корее. Тем не менее, компания не собирается останавливаться на достигнутом и сообщает, что модули следующего поколения будут выпущены уже во второй половине 2020 и будут обладать пропускной способностью на уровне 6400 Мбит/с.

Источник(и)

'
Please share our article, every link counts!
> Обзоры Ноутбуков, Смартфонов, Планшетов. Тесты и Новости > Новости > Архив новостей > Архив новостей за 2020 02 > Samsung начала массовое производство топовой оперативной памяти для смартфонов
Deirdre O Donnell, 2020-02-25 (Update: 2020-02-26)