Notebookcheck

В Intel придумали замену транзистору

Intel разрабатывает новый логический элемент MESO (Изображение: 3dnews)
Intel разрабатывает новый логический элемент MESO (Изображение: 3dnews)
Существующие типы транзисторов вскоре перестанут удовлетворять нужды рынка, поскольку переход на 10-нм техпроцесс уже показал, как сложно создавать столь малые устройства привычным методом. Поэтому Intel разрабатывает инновационное решение под названием MESO: magneto-electric spin-orbit или магнитоэлектрический спин-орбитальный элемент (МЭСО).

Иногда новые технологии заставляют нас отказаться от традиционных методов производства и искать новые, более совершенные. Так было во времена научно-технической революции и так продолжается до сих пор. Поэтому новость об отказе от традиционной КМОП-структуры для создания интегральных микросхем, стоит воспринимать как следующий виток прогресса.

В самом деле, переходя на все меньший масштаб, КМОП (расшифровывается как комплементарная структура металл-оксид-полупроводник), то есть набор полупроводниковых технологий, показывает себя как слишком энерго- и ресурсозатратный метод производства. Так что следующие нанометры будут осваиваться уже по новой технологии.

Для создания таковой Intel объединилась с исследователями из Университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory). Как сообщается в журнале Nature, был разработан логический элемент будущего, который назвали MESO: magneto-electric spin-orbit (магнитоэлектрический спин-орбитальный элемент или МЭСО).

Особенностями МЭСО являются возможность переключения под напряжением в 5 раз меньшим, чем у транзисторов, изготовленных по КМОП-процессу. В частности, исследователи проверили работу элемента при напряжении 500 мВ, но утверждают, что потенциальный предел может быть уменьшен до 100 мВ. Такой логический элемент сулит значительную экономию заряда батарей в устройствах-носителях, что не может не радовать пользователей, которые уже устали бегать к розеткам со своими гаджетами.

Следующим приятным дополнением станет возможность хранить на МЭСО информацию — как минимум один бит данных на один элемент. Все благодаря мультиферроику (имеющего две и более упорядоченности), который использован в качестве материала для ячейки МЭСО. В данном случае это соединение висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Сам процесс считывания и запись данных происходит с использованием спин-орбитального взаимодействия электронов.

Как видим, команда учёных и разработчиков постарались на славу, однако самое сложное – изготовление рабочих прототипов и внедрение инновации в производство – еще впереди.

Источник(и)

Показать пресс-релиз
'
Please share our article, every link counts!
> Обзоры Ноутбуков, Смартфонов, Планшетов. Тесты и Новости > Новости > Архив новостей > Архив новостей за 2018 12 > В Intel придумали замену транзистору
Alina Bakhvalova, 2018-12- 5 (Update: 2018-12- 5)