Подробности о Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3: компоновка ядер 1+5+2 и поддержка памяти UFS 4.1

Слухи о будущем флагманском чипсете Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 появляются все чаще. Ранее стало известно, что чип выйдет раньше, чем предполагалось по графику выпуска предшественника. Больше всего обсуждений ведется о компоновке ядер: ранее считалось, что новый флагман унаследует формулу Snapdragon 8 Gen 2 - "1+4+3". Тем не менее, судя по новым данным из китайской социальной сети Weibo, процессорные ядра будут скомпонованы по новой формуле "1+5+2".

По словам пользователя Twitter под ником Revegnus, Snapdragon 8 Gen 3 получит основное мощное ядро с архитектурой Cortex-X4, которое будет работать на частоте до 3.2 ГГц. Частота у финальной версии чипсета может быть и значительно выше, ведь в предыдущих утечках массово фигурировало значение 3.75 ГГц. Пять ядер Cortex-A720 смогут работать на частоте до 3.0 ГГц, а для двух энергоэффективных ядер Cortex-A520, предположительно, выставят частоту 2.0 ГГц. Первые результаты тестов Snapdragon 8 Gen 3 в Geekbench демонстрируют значения 1930/6236 баллов, которых будет сложно добиться при более низких частотах.

Новые данные также позволяют узнать и другие подробности о Snapdragon 8 Gen 3: поддержка встроенной памяти UFS 4.1, оперативной памяти LPDDR5 со скоростью 7500 МТ/с, встроенная графика Adreno 750 и модем Qualcomm X75 5G. Впрочем, кое что общее с предыдущими утечками все же есть - техпроцесс, по данным информатора, все тот же: TSMC N4P.  То есть, это будет уже третье поколение Qualcomm, которое "застряло" на усовершенствованной версии TSMC N5.

Помимо характеристик источник сообщает о приросте производительности у грядущего чипа, который будет более значимым, нежели у предыдущих поколений. Такое утверждение плохо согласуется с данными о техпроцессе, ведь действительно большой скачок быстродействия возможен только с переходом на 3-нм производство, которое планируется на фабриках Samsung и TSMC.