Спрос на ИИ может привести к тому, что в 2027 году производители ПК будут бороться за сокращающиеся объёмы поставок DRAM

Бум искусственного интеллекта может коренным образом изменить механизмы купли-продажи памяти. Последние комментарии производителей памяти, прозвучавшие на этой неделе, указывают на то, что в 2027 году ситуация с предложением DRAM, по всей видимости, ещё более обострится. Согласно отчёту Digitimes, опубликованному в начале этой недели, компании Samsung, Micron и SK hynix, как сообщается, завершили переговоры, охватывающие практически все их производственные мощности по выпуску DRAM и памяти с высокой пропускной способностью (HBM) на 2027 год. Ссылаясь на источники в отрасли, издание утверждает, что гипермасштабные облачные провайдеры, компании, занимающиеся искусственным интеллектом, а также более мелкие покупатели уже были проинформированы о своих производственных квотах, причем, как сообщается, во многих случаях для обеспечения будущих поставок требуется внесение авансовых платежей.

Этот отчет был впоследствии подкреплен комментариями поставщиков памяти, прозвучавшими во время недавних телеконференций по финансовым результатам. Председатель совета директоров компании Adata Саймон Чен ранее заявлял, что на долю HBM и серверных решений для искусственного интеллекта может приходиться почти 70 % мирового объема производства DRAM в 2027 году; эту точку зрения подкрепляют недавние комментарии отраслевых экспертов, предупреждающие об ужесточении ситуации с предложением памяти в следующем году. В результате на традиционную память для ПК и смартфонов остается значительно меньше производственных мощностей. Компания Winbond также отметила, что некоторые клиенты уже заключают долгосрочные соглашения о поставках, рассчитанные на 2029 и 2030 годы, что отражает ожидания того, что напряженная рыночная ситуация может сохраняться не несколько кварталов, а на протяжении многих лет.

Этот сдвиг может иметь ощутимые последствия для производителей ПК. Если растущая доля производства DRAM будет и дальше перенаправляться на HBM, производители ноутбуков и настольных компьютеров могут оказаться в ситуации, когда им придётся конкурировать за всё более ограниченный объём традиционной памяти, несмотря на продолжающиеся инвестиции в расширение производственных мощностей. Издание Digitimes утверждает, что многим заказчикам выделяется лишь около 60–70 % от первоначально запрошенных объемов, что фактически вынуждает OEM-производителей отдавать приоритет продуктам с более высокой рентабельностью, сокращать количество доступных конфигураций или пересмотреть стандартные объемы памяти в будущих системах.

Ситуация с дефицитом на рынке может не ограничиваться только DRAM. По данным Digitimes, компании Samsung, Micron и SanDisk, по всей видимости, уже распределили весь объём производства NAND-флеш-памяти на 2027 год, в то время как Kioxia и SK Hynix могут завершить распределение своих объемов до конца августа. Если эта информация подтвердится, это будет противоречить недавним прогнозам, согласно которым предложение NAND может начать расти во второй половине 2027 года по мере постепенного ввода в эксплуатацию дополнительных производственных мощностей. Ни одна из компаний публично не подтвердила сообщаемые данные о распределении объемов производства на 2027 год. Тем не менее, совокупность данных из цепочки поставок и всё более осторожных комментариев со стороны поставщиков памяти позволяет предположить, что нынешний дефицит может представлять собой нечто большее, чем очередной циклический сбой.

Интересно, что производители памяти уже признают: простого увеличения объемов производства DRAM может оказаться недостаточно для удовлетворения стремительно растущих потребностей искусственного интеллекта в памяти. Компания SK Hynix недавно представила технологию High Bandwidth Flash (HBF) — предлагаемый новый уровень памяти, занимающий промежуточное положение между HBM и традиционной флэш-памятью NAND. Вместо того чтобы пытаться заменить DRAM, технология HBF предназначена для разгрузки огромных наборов данных искусственного интеллекта, которые больше не требуют пропускной способности уровня HBM, при этом обеспечивая значительно более высокую производительность, чем традиционные SSD-накопители. До коммерциализации этой технологии остаются годы, однако её появление может свидетельствовать о том, что отрасль начинает пересматривать саму иерархию памяти, а не полагаться исключительно на увеличение объемов производства DRAM для обеспечения соответствия требованиям рабочих нагрузок ИИ.