Notebookcheck Logo

SK Hynix: к 2034 году производственные мощности по выпуску DRAM увеличатся в три раза, дефицит памяти сохраняется

Визуализация микросхем памяти GDDR5 из пресс-релиза компании SK Hynix
ⓘ SK Hynix
Визуализация микросхем памяти GDDR5 из пресс-релиза компании SK Hynix
Компания SK hynix заявляет, что ускорит расширение производственных мощностей в Йонгине и к 2034 году утроит объемы производства пластин для DRAM — на десять лет раньше, чем предусматривала предыдущая дорожная карта, — поскольку спрос, обусловленный развитием искусственного интеллекта, меняет облик рынка памяти. Несмотря на ускорение темпов строительства, компания предупреждает, что дефицит предложения сохранится в течение нескольких лет, а нехватка модулей DRAM и HBM будет продолжать оказывать давление на центры обработки данных и способствовать росту цен на память для потребительского рынка.

Южнокорейский гигант по производству DRAM — компания SK hynix, известная разработкой решений для хранения данных, модулей DRAM и модулей памяти для потребительских и корпоративных систем, включая память HBM с высокой пропускной способностью для центров обработки данных искусственного интеллекта, объявила о достижении важной вехи. Компания прогнозирует, что к 2034 году она утроит свои общие производственные мощности по выпуску кремниевых пластин, то есть на десять лет раньше, чем ожидалось ранее.

В настоящее время SK Hynix ведет строительство четырёх крупных заводов по производству микросхем в городе Ёнин (Южная Корея). Завершение начального этапа этого масштабного проекта запланировано на начало 2027 года.

По словам председателя SK Group Чхэ Тэ-вона, график строительства был существенно ускорен. Изначально SK Group планировала завершить строительство заводов по производству DRAM и модулей памяти к 2045 году, однако теперь срок завершения работ перенесен на 2034 год.

Чхэ Тэ-вон также дал интервью Nikkei Asia в рамках серии « » и подробно рассказал об амбициозных масштабах проекта SK hynix. Он сказал:

«Поскольку мы реализуем план по максимальному расширению производства, наши расчеты показывают, что наши мощности по производству пластин удвоятся в течение пяти лет. Но, честно говоря, как только все эти объекты будут построены, мощности не просто удвоятся, а утроятся примерно к 2034 году».

Он сдержал ожидания тех, кто надеется в будущем получить доступ к легкодоступной памяти, заявив: «В настоящее время нет возможности действовать быстрее. Люди уже говорят, что даже этого будет недостаточно».

Хотя эти прогнозы и ускоренные сроки являются важными шагами для увеличения производства DRAM и общего объема предложения, они все же не смогут снять немедленное давление и удовлетворить спрос со стороны центров обработки данных искусственного интеллекта и гипермасштабируемых компаний. Ожидается, что дефицит памяти DRAM и HBM сохранится до 2030 года, и многие компании предлагают предоплату и многолетние бронирования из-за продолжающейся нехватки микросхем.

Ожидается, что в ближайшие годы количество заводов по производству памяти увеличится, поскольку Samsung, SK hynix и Micron расширяют производство микросхем.

Как бы оптимистично ни представляла ситуацию SK Group, дефицит памяти по-прежнему сохраняется, цены на память и устройства хранения достигли рекордного уровня, а некоторые микросхемы памяти DRAM и HBM в 2026 году буквально будут стоить больше, чем их вес в золоте.

Цены на потребительскую DRAM находятся на пути к новым рекордным уровням, и рынок уже вновь учитывает в ценах ожидаемый дефицит. Стоимость комплекта оперативной памяти Corsair DDR5 объемом 32 ГБ на Amazon за последние 3 месяца выросла с 370 до 440 долларов, что представляет собой дополнительную надбавку в 19 %.

Источник(и)

Google LogoAdd as a preferred source on Google
Mail Logo
'
> Обзоры Ноутбуков, Смартфонов, Планшетов. Тесты и Новости > Новости > Архив новостей > Архив новостей за 2026 год, 06 месяц > SK Hynix: к 2034 году производственные мощности по выпуску DRAM увеличатся в три раза, дефицит памяти сохраняется
Rahim Amir Noorali, 2026-06-14 (Update: 2026-06-14)