Если слухи из Китая верны, то компания SMIC успешно изготовила свой первый 5 нм чип для компании Huawei: Kirin X90 Kirin X90. Этот успех был достигнут без использования передовых EUV-машин ASML. Из-за торговых ограничений компания была вынуждена использовать их менее эффективные аналоги на основе DUV. В новом отчете UDN рассказывает о будущих планах компании Huawei в области полупроводникового бизнеса.
Китайский технологический гигант приступил к исследованиям 3 нм узла на основе GAA FET, который, как ожидается, будет готов к выпуску в 2026 году. Если не возникнет никаких заминок с разработкой, массовое производство должно начаться в 2027 году. Также ведутся исследования 3 нм чипов на основе углеродных нанотрубок, но пока нет информации о том, насколько они продвинулись.
Тем не менее, выход продукции по-прежнему будет проблемой. Упомянутый выше 5 нм узел, как говорят, составляет всего 20%, и эта цифра будет только ниже на 3 нм из-за дополнительной сложности, связанной с многослойным DUV-паттернингом. Но все может измениться, если Китай каким-то образом перейдет на EUV, как TSMC, Samsung и Intel Foundry.
Китай уже начал работу над собственными EUV-машинами. Пользователь X @zephyr_z9который хорошо знаком с китайской полупроводниковой сценой, говорит, что компания Huawei активно тестирует технологию EUV, которая якобы будет готова к массовому производству к 2026 году. Однако бывший инженер компании ASML @lithos_graphein говорит, что это маловероятно, потому что "ров ASML огромен и неоспорим"
Тем не менее, даже если бы у Китая и были наготове инструменты EUV, он не стал бы раскрывать их публично. Как сообщается, на сайте $37 млрд было выделено на разработку EUV, и любой прогресс будет держаться в секрете, как это произошло с Kirin 9010 и его преемниками.