Не следует рассматривать план компании SK hynix по строительству завода стоимостью 54,3 трлн вон как фактор, способствующий снижению цен на оперативную память

7 августа совет директоров компании SK hynix одобрил выделение примерно 54,3 трлн вон (~38,6 млрд долларов США) на строительство двух новых производственных комплексов: 35,2 трлн вон (~25 млрд долларов США) на завод «Y2» в Йонгине и 19,1 трлн вон (~13,6 млрд долларов США) на завод «M17» в Чхончжу. Завод Y2 будет специализироваться на производстве DRAM, а завод M17 — на производстве NAND; приведённые цифры охватывают исключительно затраты на строительство; стоимость оборудования для завода Y2 может составить до 120 трлн вон (~85,2 млрд долларов), что может увеличить общую сумму до более чем 150 трлн вон (~106,5 млрд долларов).

Для тех, кто в последнее время интересовался ценами на комплект DDR5 объёмом 32 ГБ — в этом месяце он стоит примерно 600 долларов, тогда как не так давно тот же комплект стоил 100 долларов, — естественным инстинктом будет расценить эту информацию как признак приближающегося конца. Однако сроки говорят о совсем другом. Первый чистый зал на M17 откроется в декабре 2028 года, а на Y2 — в июне 2029 года, при этом строительство Y2 начнётся только в июле 2027 года. Открытие чистого зала знаменует начало установки и аттестации оборудования; это ещё не начало поставок. Гораздо более близким этапом является Y1, завершение строительства которого запланировано примерно на февраль 2027 года, а монтаж оборудования начнётся во втором квартале.

Одна конкретная фраза в пресс-релизе SK hynix имеет даже большее значение, чем цифра в заголовке. Этот гигант полупроводниковой отрасли заявляет, что будет строить производственные комплексы в соответствии с основным графиком, но расширять чистые помещения и устанавливать оборудование поэтапно, ориентируясь на динамику спроса, с целью максимального повышения эффективности капиталовложений.

Другими словами, компания запускает строительство зданий на раннем этапе, а гораздо более значительные расходы на оборудование откладывает до тех пор, пока спрос не будет подтверждён. Фаза Y1 будет разделена на шесть чистых помещений, и ожидается, что к первой половине 2030 года её производственная мощность достигнет 360 000 пластин DRAM в месяц.

Ассортимент продукции также не отвечает ожиданиям потребителей. На втором этапе (Y2) будет производиться память с высокой пропускной способностью и другие виды DRAM следующего поколения, причём именно выделение ресурсов под HBM изначально привело к вытеснению стандартной DDR5 с производственных линий. В настоящее время компания SK hynix использует примерно 30 % своих производственных мощностей по выпуску пластин DRAM для производства HBM, и аналитики прогнозируют, что к 2027 году эта доля приблизится к 40 %.

Наиболее чёткую картину в данном контексте даёт собственная формулировка компании SK hynix. Компания называет это «структурной трансформацией», а не временным суперциклом. Она сослалась на прогнозы Omdia, согласно которым до 2030 года ожидается 19-процентный годовой рост рынков DRAM и NAND. Это означает, что поставщик рассматривает сегодняшние цены в качестве базового уровня и строит свои планы исходя из этого.