Huawei приблизилась к созданию узла класса 2 нм без EUV

Несколько дней назад компания Huawei продемонстрировала свою первую в истории SoC для смартфонов класса 5 нм, изготовленную на узле N+3 компании SMIC. На сайте Kirin 9030 используется в новейшей линейке Mate80 компании Huawei. Теперь, похоже, Huawei близка к своему следующему прорыву: 2 нм. Исследователь полупроводников д-р Фредерик Чен (Frederick Chen) обнаружил патент Huawei от 2022 года, но опубликовал его совсем недавно; он еще не утвержден.

В нем рассматривается использование существующей инфраструктуры DUV для достижения шага металла 21 нм, что делает его эквивалентным 2 нм предложениям от TSMC и других компаний. В обычных условиях для этого потребовалось бы многократное воздействие DUV-лазера, но компания Huawei придумала, как сократить это время до четырех с помощью технологии SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).

Понятно, что существует определенный скептицизм по поводу коммерческой целесообразности такого проекта. Для начала, его производительность будет слишком низкой, чтобы быть коммерчески жизнеспособной. Даже если это так, они и близко не сравнятся с решениями на основе EUV.

В одном из предыдущих отчетов говорилось, что Китай работает над собственными инструментами EUV и узлом 3 нм с полупроводниками на основе углеродных нанотрубок. В последнее время об этом не поступало никакой информации. Даже если проект удастся, он не будет официально представлен в ближайшее время из-за скрытного подхода Китая к производству микросхем.