Samsung преодолевает барьер в 16 Гбит/с, представив HBM4E на GTC 2026

Samsung использовала Nvidia GTC 2026 для предварительного просмотра своей дорожной карты следующего этапа развития памяти AI, причем HBM4E впервые появилась на выставке вместе с недавно выпущенной компанией HBM4. Компания заявила, что HBM4 уже находится в массовом производстве для платформы Nvidia Vera Rubin, а HBM4E демонстрируется как ее преемник с более высокой пропускной способностью для рабочих нагрузок в дата-центрах следующего поколения.

Samsung ставит HBM4 и HBM4E в центр своего сообщения на GTC

В центре стенда Samsung на GTC 2026 - HBM4, который, по словам компании, уже находится в массовом производстве и предназначен для платформы Vera Rubin от Nvidia. Samsung заявила, что эта память обеспечивает стандартную скорость обработки данных 11,7 Гбит/с, что выше базового отраслевого уровня 8 Гбит/с, который она указала, и может быть доведена до 13 Гбит/с.

Новейшая HBM4E - это большее перспективное открытие. Samsung заявила, что впервые представит эту деталь на GTC 2026, а ее производительность составит 16 Гбит/с на контакт и пропускную способность 4,0 ТБ/с. Компания также демонстрирует технологию гибридного медного соединения, которая, по ее словам, позволит будущим стекам HBM достигать 16 и более слоев, при этом снизив теплостойкость более чем на 20% по сравнению с термокомпрессионным соединением.

Анонс также расширяет инфраструктурное поле Samsung для Nvidia

Samsung использует анонс памяти, чтобы позиционировать себя как более широкого поставщика инфраструктуры ИИ, ориентированной на Nvidia, а не только как поставщика HBM. В отдельном разделе стенда, ориентированном на Nvidia, Samsung заявила, что она также представит серверную память SOCAMM2 и твердотельные накопители PM1763, предназначенные для систем искусственного интеллекта Nvidia, а твердотельный накопитель PM1753 будет показан как часть эталонной архитектуры BlueField-4 STX для ускоренной инфраструктуры хранения данных Nvidia на Вере Рубин.

Samsung заявила, что SOCAMM2 уже находится в массовом производстве, и описала его как серверный модуль памяти на основе DRAM с низким энергопотреблением, предназначенный для инфраструктуры ИИ следующего поколения. Для хранения данных компания заявила, что PM1763 использует PCIe 6.0 для более быстрой передачи данных и большей емкости, а PM1753 ориентирован на энергоэффективность и производительность системы для вычислительных рабочих нагрузок.

Samsung связывает запуск с фабрикой ИИ и амбициями в области локального ИИ

Помимо памяти для ЦОД, Samsung также использует GTC 2026, чтобы рассказать о том, как ее полупроводниковые и производственные операции связаны с программным стеком ИИ от Nvidia. Компания заявила, что планирует использовать ускоренные вычисления Nvidia и библиотеки Omniverse для масштабирования своих усилий по созданию фабрики ИИ и ускорения производства на основе цифровых двойников в подразделениях памяти, логики, литейного производства и передовой упаковки.

Samsung также использовала этот анонс для того, чтобы рассказать о местном аппаратном обеспечении ИИ. На GTC компания заявила, что демонстрирует PM9E3 и PM9E1 NAND для Nvidia DGX Spark, а также память LPDDR5X и LPDDR6 для мобильных устройств премиум-класса и edge-AI устройств. По словам Samsung, скорость LPDDR5X может достигать 25 Гбит/с на вывод при снижении энергопотребления на 15%, а LPDDR6 нацелена на 30-35 Гбит/с на вывод с дополнительными функциями управления питанием для будущих рабочих нагрузок edge-AI.