
Neo Semiconductor представила ОЗУ 3D X-DRAM со структурой флеш-памяти и высокой плотностью хранения данных
Применив процессы, используемые в создании современной 3D NAND-памяти для SSD, компания Neo Semiconductor разработала оперативную память 3D X-DRAM, которая предлагает плотность хранения данных 128 Гбит для одного чипа - это в 8 раз больше, чем у современной DDR5