Как сообщается, SK hynix объединяет DRAM и NAND в единый пакет High-Bandwidth Storage для повышения производительности искусственного интеллекта на устройстве

Компания SK hynix, как сообщается, достигла важного рубежа, внедрив инновацию, которая может изменить работу мобильных устройств с искусственным интеллектом. Новая гибридная архитектура компании, High-Bandwidth Storage (HBS), объединяет DRAM и NAND, обеспечивая более высокую скорость передачи данных, меньшую задержку и повышенную энергоэффективность.

По данным ETNews, SK hynix ожидает, что ее новая технология повысит производительность искусственного интеллекта в смартфонах.

Память нового поколения для мобильных устройств на базе ИИ

Ключевой частью последней инновации SK hynix является технология Vertical Wire Fan-Out (VFO). VFO - это метод, который позволяет укладывать до 16 слоев DRAM и NAND вертикально, соединяя их по прямой линии. Благодаря этому процессу SK hynix может сократить потери сигнала и расстояние передачи, поскольку отпадает необходимость в изогнутых проводах, характерных для традиционных корпусов.

В результате получается пакет HBS с более коротким временем обработки данных и повышенной эффективностью. Это повышает пропускную способность мобильных устройств, подобно тому, как память с высокой пропускной способностью (HBM) повышает производительность графических процессоров и серверов искусственного интеллекта.

Меньше, быстрее и холоднее

По словам SK hynix, новый процесс VFO сокращает требования к проводке в 4,6 раза. Он снижает энергопотребление на 5 процентов и улучшает теплоотвод на 1,4 процента. Южнокорейская компания также уменьшила высоту упаковки на 27%, что позволило сделать мобильные устройства еще более тонкими и работать при более низких температурах.

SK hynix также экономит на производственных затратах, поскольку HBS не требует изготовления сквозных кремниевых проходов (TSV), которые вертикально соединяют сложенные чипы путем сверления и заполнения микроскопических отверстий в кремниевых пластинах, в отличие от HBM. Кроме того, это помогает увеличить выход продукции, что очень важно для масштабирования производства.

Привнесение производительности ИИ в мобильные чипы

В паре с процессором приложений (AP) модуль HBS от SK hynix позволит смартфонам и планшетам лучше справляться с нагрузками, связанными с искусственным интеллектом. Компания уже использовала упаковку DRAM на основе VFO в Apple's Vision Pro.