SK Hynix показала 321-слойный чип NAND-памяти емкостью 1 Тб

SK Hynix показала первый образец 4D TLC NAND-чипа с 321-слойной памятью емкостью 1 Тб на мероприятии Flash Memory Summit (FMS), что проходил в США с 8 по 10 августа. Данный тип памяти все еще находится на стадии разработки, однако корейская компания уже запланировала массовый выпуск на первую половину 2025 года.

Пятое поколение флэш-памяти c 4D структурой и 321 слоем приносит ряд преимуществ, включая 59% увеличение емкости по сравнению с 238-слойными 512-Гб чипами - добиться такого результата SK Hynix удалось благодаря совершенствованию процесса компоновки. Чтобы по максимуму задействовать потенциал новых чипов, производитель уже занимается разработкой решений на базе PCIe 6.0 и UFS 5.0, которые будут нацелены преимущественно на использование в сфере ИИ.

На данный момент компания массово выпускает 512-Гб чипы с 238-слоной памятью, потому SK Hynix представила также готовые высокопроизводительные решения на базе PCIe 5.0 и UFS 4.0 для корпоративного сектора, также оптимизированные под использование в сфере ИИ.

Выпуская новые чипы памяти каждые 2 года в SK Hynix хотят закрепить за собой лидерство среди производителей NAND-памяти, а также удовлетворить растущий спрос на производительные системы, сформированный развитием систем с поддержкой ИИ.