Notebookcheck Logo

Пропускная способность, IOPS и эффективность: Samsung разрабатывает три новых типа NAND-накопителей для приложений ИИ

Руководитель Samsung Jin-Yub Lee на FMS 2026
ⓘ Samsung
Руководитель Samsung Jin-Yub Lee на FMS 2026
Samsung Electronics в настоящее время работает над новым поколением флеш-памяти. Вместо универсального решения для хранения данных на SSD компания, по сообщениям, разрабатывает три типа NAND, адаптированных к конкретным сценариям использования ИИ: одни оптимизированы для приложений, работающих непосредственно на устройствах, а другие — для центров обработки данных.

Ссылаясь на отраслевые источники, южнокорейское технологическое издание Zdnet сообщает, что Samsung Electronics разрабатывает три новые системы хранения данных на базе NAND, предназначенные для конкретных задач. Пока Samsung официально анонсировала только первый вариант, zNAND-O, но, по данным Zdnet, компания работает ещё над двумя типами. Вот все три варианта:

zNAND-O – Эффективность для ИИ на устройстве

Этот тип памяти специально разработан для локальных ИИ-приложений. Чтобы сократить пути передачи данных и повысить скорость и энергоэффективность, чипы NAND укладываются в четыре или восемь слоёв и соединяются с помощью TSV (сквозных кремниевых переходов). В данном случае производительность несколько менее важна, чем эффективность, поскольку ИИ-приложения должны работать локально, потребляя как можно меньше энергии.

zNAND-T – Максимальная пропускная способность передачи данных

Этот вариант ориентирован в большей степени на высокопроизводительные центры обработки данных для ИИ, поэтому флеш-память рассчитана на обработку особенно больших объёмов данных за единицу времени. Один из ключевых терминов здесь — High Bandwidth Flash (HBF). В конечном счёте цель состоит в том, чтобы передавать большие объёмы данных как можно быстрее.

zNAND-I – Исключительно высокая скорость операций ввода-вывода

Этот вариант ориентирован на особенно высокие показатели IOPS, или количества операций ввода-вывода в секунду. Это особенно важно для инференса ИИ, где необходимо быстро обрабатывать большое количество обращений к небольшим объемам данных.

Пока публично представлена только zNAND-O. Две другие системы пока не получили официального подтверждения и всё ещё находятся на ранних стадиях разработки.

Этим шагом Samsung следует стратегии своего конкурента SK Hynix, который также разрабатывает три специализированных типа NAND. В долгосрочной перспективе этот подход может усилить конкуренцию на рынке систем хранения данных для ИИ и расширить роль флеш-памяти NAND за пределы традиционного применения в SSD.

Источники

Zdnet, Samsung (1, 2)

Google LogoAdd as a preferred source on Google
Mail Logo
'
> Обзоры Ноутбуков, Смартфонов, Планшетов. Тесты и Новости > Новости > Архив новостей > Архив новостей за 2026 год, 10 месяц > Пропускная способность, IOPS и эффективность: Samsung разрабатывает три новых типа NAND-накопителей для приложений ИИ
Christian Hintze, 2026-10-12 (Update: 2026-10-12)