Компания SanDisk выпустила первые микросхемы памяти 3D Matrix Memory — цель компании — сократить стоимость одного бита вдвое по сравнению с DRAM

Компания SanDisk представила небольшое, но важное обновление по своей экспериментальной технологии 3D Matrix Memory, сообщив, что она изготовила первые микросхемы, основанные на новой технологии памяти, на стандартных кремниевых пластинках диаметром 300 мм и разместила их в корпуса для дальнейшего тестирования. По данным компании, прототипы уже способны хранить несколько гигабит данных, а их производительность приближается к техническим характеристикам, запланированным для конечного продукта.

Разработка технологии 3D Matrix Memory ведётся с 2017 года как потенциальная альтернатива традиционной DRAM, однако с принципиально иной трёхмерной структурой. Компания SanDisk заявляет, что в перспективе эта технология сможет обеспечить аналогичную производительность, предлагая при этом объём памяти, в четыре раза превышающий объём DRAM. Компания также ставит целью сократить стоимость одного бита вдвое по сравнению с традиционной DRAM.

Последние прототипы созданы на базе тестовой платформы, разработанной в прошлом году совместно с научным партнером SanDisk — компанией Imec. С тех пор SanDisk приступила к наслоению нескольких слоёв памяти и изготовлению прототипов на 300-мм подложках. Готовые микросхемы в настоящее время используются для проведения дополнительных испытаний. По данным компании, в ходе экспериментов уже продемонстрированы работоспособные массивы памяти емкостью в несколько гигабит. SanDisk также отмечает, что уровень производительности уже очень близок к техническим характеристикам, заданным для потенциального конечного продукта.

Тем не менее SanDisk пока не готова говорить о коммерческом запуске. Технический директор SanDisk Альпер Илкбахар отметил, что технология 3D Matrix Memory по-прежнему является долгосрочным проектом и что может пройти немало времени, прежде чем она поступит на рынок.

«Работа над проектом продвигается, но это проект с более длительным временным горизонтом. Мы будем и впредь информировать вас о наших успехах», — Альпер Илкбахар.

В последней дорожной карте SanDisk содержится мало подробностей о дальнейших планах. В более ранней дорожной карте были указаны планы по созданию образцов объёмом от 32 до 64 Гбит, однако сроки их появления не были указаны.

В последней дорожной карте содержится мало подробностей о дальнейших планах. В более ранней дорожной карте были указаны планы по созданию образцов емкостью от 32 до 64 Гбит, однако график их появления не был указан.

На данный момент технология 3D Matrix Memory остаётся скорее исследовательским проектом, чем реальной альтернативой DRAM в ближайшем будущем. Тем не менее, возможность изготавливать многослойные прототипы на стандартных 300-мм пластинках, демонстрировать массивы памяти объёмом в несколько гигабит и достигать производительности, приближающейся к целевым техническим характеристикам компании, знаменует собой значительный шаг вперёд в многолетних усилиях SanDisk по разработке нового типа памяти высокой плотности.

Компания SanDisk также ведет работу над другой передовой технологией памяти — High Bandwidth Flash (HBF). В отличие от 3D Matrix Memory, технология HBF не предполагает внедрения совершенно новой архитектуры памяти. Вместо этого она, по сути, предусматривает многослойное расположение традиционных микросхем NAND для увеличения пропускной способности. Этот проект находится гораздо ближе к коммерциализации. По заявлению SanDisk, разработка первой версии HBF завершена, и ожидается, что образцы для тестирования станут доступны в следующем году.