Китай успешно разрабатывает прототип установки EUV

На сайте Reuters сообщается, что Китай успешно разработал машину для литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV) в лаборатории в Шэньчжэне при содействии нескольких бывших инженеров ASML. Эта разработка подтверждает предыдущие слухи и знаменует собой значительный прорыв в китайском производстве микросхем, потенциально позволяя китайским литейным заводам, таким как SMIC, производить передовые микросхемы, способные конкурировать с микросхемами от TSMC, Intel и Samsung. Говорилось, что это начинание было секретным, а бывшие инженеры работали под псевдонимами.

Однако машина EUV еще не способна производить чипы. Ожидается, что она станет полностью функциональной к 2028 году или, возможно, даже к 2030 году. К тому времени конкуренты, скорее всего, уже перейдут на EUV с высоким коэффициентом азота, технологию литографии следующего поколения, разработанную компанией ASML. Кроме того, масштабирование производства будет затруднено, поскольку Китаю придется производить все своими силами из-за отсутствия официальной поддержки со стороны ASML. Кроме того, ему придется приобретать подержанные детали у различных поставщиков, таких как Nikon и Canon.

До сих пор Китаю приходилось полагаться на оборудование последнего поколения DUV (Deep Ultraviolet) - единственное, которое он может легально приобрести у ASML. Узел N+3 компании SMIC вывел DUV далеко за пределы своих возможностей, производя чипы 5-нм класса, такие как Kirin 9030. В последующем патенте обсуждалось продвижение технологии до 2 нм. С недавним прорывом EUV, вероятно, она не понадобится из-за сложности и ужасающей производительности.