Компания SMIC совершила значительный прорыв в своем полупроводниковом производстве. Компания успешно изготовила свой первый в истории смартфонный SoC по техпроцессу 5 нм по технологическому узлу N+3, который находился в разработке с прошлого года. При плотности транзисторов около 125 Мтр/мм2 его можно сравнить с Samsung's 5LPE узлом. Чип, о котором идет речь, - Kirin 9030, и он будет питать грядущие смартфоны серии Huawei Mate 80.
Он был замечен на Geekbench вместе с модель Huawei Mate 80 Pro Max (HUAWEI SGT-AL10) с 16 ГБ оперативной памяти. Он имеет одно (скорее всего, Taishan) основное ядро процессора с тактовой частотой 2,75 ГГц, четыре ядра с частотой 2,27 ГГц и еще четыре ядра с частотой 1,72 ГГц. Кроме того, он оснащен графическим процессором Maleoon 935, характеристики которого неизвестны.
Kirin 9030 набирает 1 131 и 4 277 баллов в одноядерном и многоядерном тестах Geekbench. Автор утечки на Weibo - Digital Chat Station утверждает, что этот результат не отражает всей производительности, поскольку чип работает не на пиковой скорости. Даже при полной мощности Kirin 9030 вряд ли сможет приблизиться по производительности к Snapdragon 8 Elite Gen 5 и MediaTek Dimensity, но этого и следовало ожидать, учитывая значительный недостаток узлов.
Источник(и)
Цифровая чат-станция на Weibo





